Participand in concursul IARU 50MHz in anul 2010 am constatat ca cei 100W furnizati de FT-897 nu sunt suficienti. Am avut legaturi la care se simtea nevoia unui surplus de putere. In consecinta am hotarat sa construiesc un amplificator pentru aceasta banda. Initial optiunea era pentru un singur tub GI7B dar avand spatiu si dispunand de 2 tuburi am hotarat sa le folosesc pe amandoua. Cu atat mai mult cu cat transformatorul suporta aceasta putere. Schema apartine lui 9A6C si poate fi gasita aici.

Sasiul este din cornier de Al de 20x20x2mm. Dimensiuni: 400x300x200mm, suficient de spatios pentru a nu fi ingramadite componentele.  Modul de realizare (vezi foto) precum si materialul ii confera o rezistenta sporita. Placile care placheaza acest sasiu sunt tot din Al de 1.5mm, pentru o greutate cat mai redusa. Pe placa din spate, in dreptul celor doua triode, am decupat si montat un ventilator de 120mm care asigura debitul de aer necesar racirii acestora. Tot pe aceasta placa mai sunt montate soclurile pentru sigurante, mufele pentru intrare/iesire, conectorul pentru PTT...

Capacul superior va avea o decupare deasupra tuburilor pentru circulatia aerului cald ce se ridica de la acestea. Circulatia se va face prin presiunea exercitata de ventilatorul de 120mm, fiind suficienta pentru acest lucru.

Transformatorul (1KW) livreaza in secundar o tensiune de 860Vca cu priza la 800V (pentru teste si o putere mai mica atunci cand este necesar), ceea ce redresat/filtrat/dublat ajunge la 2450Vcc (la o tensiune de 226Vca in primar). Filtrarea este asigurata de condensatori 220u/450V intro schema clasica cu dublarea tensiunii.

Transformatorul pentru filamente este separat si livreaza o tensiune de 12.6V/4A.

Pentru automatizare am construit o sursa ce are doua tensiuni la iesire. Una de 24V (LM7824), care intentionez sa o folosesc la actionarea releelor, si alta de 12V (LM7812). Pe aceeasi placa cu stabilizatoarele se afla si temporizarea la pornire a transformatorului de inalta tensiune. Rezistenta de 50R din primar este scurtcircuitata dupa ~4-5secunde de la cuplarea tensiunii de catre releul de 16A/250V.

Circuitul de bias, prezent si el in imagini, este construit dupa schema lui W4ZT. Cablajele la sursa si bias sunt din cele folosite la teste, pregaurite (din comoditate). Intre timp am aflat de existenta unei alte scheme pentru bias, cea lui a lui DL4MEA (tnx YO2LYN).

Va urma...